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  • 型号: BAS 116 E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BAS 116 E6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE GEN PURP 80V 0.25A SOT23-3二极管 - 通用,功率,开关 Silicon Low Leakage Diode

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,Infineon Technologies BAS 116 E6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451

产品型号

BAS 116 E6327

不同If时的电压-正向(Vf)

1.25V @ 150mA

不同 Vr、F时的电容

2pF @ 0V,1MHz

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5nA @ 75V

二极管类型

标准

产品种类

二极管 - 通用,功率,开关

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BAS 116 E6327DKR

包装

Digi-Reel®

反向恢复时间(trr)

1.5µs

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

峰值反向电压

85 V

工作温度-结

150°C (最大)

工作温度范围

+ 150 C

工具箱

/product-detail/zh/KIT%20AF%20DIODE%201/KITAFDIODE1IN-ND/2025025

工厂包装数量

3000

恢复时间

1500 ns

最大反向漏泄电流

0.005 uA at 75 V

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

4.5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向电压下降

1.25 V at 0.15 A

正向连续电流

0.25 A

热阻

260°C/W Jl

电压-DC反向(Vr)(最大值)

80V

电流-平均整流(Io)

250mA(DC)

系列

BAS116

速度

标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

配置

Single

零件号别名

BAS116E6327HTSA1 SP000010194

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